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文献
J-GLOBAL ID：201702263511876341
整理番号：17A0415866
オプトエレクトロニクス素子のためのアンチモン化物系半導体【Powered by NICT】
Antimonide-based semiconductors for optoelectronic devices
Ni Pei-Nan
(OPTIMUS, School of Electrical & Electronic Engineering, Nanyang Technological University, 50 Nanyang Avenue, 639798, Singapore)
,
Tong Jin-Chao
(OPTIMUS, School of Electrical & Electronic Engineering, Nanyang Technological University, 50 Nanyang Avenue, 639798, Singapore)
,
Tobing Landobasa Y. M.
(OPTIMUS, School of Electrical & Electronic Engineering, Nanyang Technological University, 50 Nanyang Avenue, 639798, Singapore)
,
Qian Li
(OPTIMUS, School of Electrical & Electronic Engineering, Nanyang Technological University, 50 Nanyang Avenue, 639798, Singapore)
,
Qiu Shu-Peng
(OPTIMUS, School of Electrical & Electronic Engineering, Nanyang Technological University, 50 Nanyang Avenue, 639798, Singapore)
,
Xu Zheng-Ji
(OPTIMUS, School of Electrical & Electronic Engineering, Nanyang Technological University, 50 Nanyang Avenue, 639798, Singapore)
,
Tang Xiao-Hong
(OPTIMUS, School of Electrical & Electronic Engineering, Nanyang Technological University, 50 Nanyang Avenue, 639798, Singapore)
,
Zhang Dao-Hua
(OPTIMUS, School of Electrical & Electronic Engineering, Nanyang Technological University, 50 Nanyang Avenue, 639798, Singapore)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016 号： ICOCN ページ： 1-3 発行年： 2016年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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