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文献
J-GLOBAL ID：201702263517918679
整理番号：17A0362509
4.5kV IGBTに基づく種々の試験条件下での熱暴走限界の比較【Powered by NICT】
Comparison of thermal runaway limits under different test conditions based on a 4.5kV IGBT
Reigosa P.D.
(Centre of Reliable Power Electronics (CORPE), Department of Energy Technology, Aalborg University, Pontoppidanstraede 101, 9220 Aalborg, Denmark)
,
Prindle D.
(ABB Switzerland Ltd, Semiconductors, Fabrikstrasse 3, CH - 5600 Lenzburg, Switzerland)
,
Paques G.
(ABB Switzerland Ltd, Semiconductors, Fabrikstrasse 3, CH - 5600 Lenzburg, Switzerland)
,
Geissmann S.
(ABB Switzerland Ltd, Semiconductors, Fabrikstrasse 3, CH - 5600 Lenzburg, Switzerland)
,
Iannuzzo F.
(Centre of Reliable Power Electronics (CORPE), Department of Energy Technology, Aalborg University, Pontoppidanstraede 101, 9220 Aalborg, Denmark)
,
Kopta A.
(ABB Switzerland Ltd, Semiconductors, Fabrikstrasse 3, CH - 5600 Lenzburg, Switzerland)
,
Rahimo M.
(ABB Switzerland Ltd, Semiconductors, Fabrikstrasse 3, CH - 5600 Lenzburg, Switzerland)
資料名：
Microelectronics Reliability
(Microelectronics Reliability)
巻： 64 ページ： 524-529 発行年： 2016年
JST資料番号： C0530A ISSN： 0026-2714 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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