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J-GLOBAL ID:201702263517918679   整理番号:17A0362509

4.5kV IGBTに基づく種々の試験条件下での熱暴走限界の比較【Powered by NICT】

Comparison of thermal runaway limits under different test conditions based on a 4.5kV IGBT
著者 (7件):
Reigosa P.D.
(Centre of Reliable Power Electronics (CORPE), Department of Energy Technology, Aalborg University, Pontoppidanstraede 101, 9220 Aalborg, Denmark)
Prindle D.
(ABB Switzerland Ltd, Semiconductors, Fabrikstrasse 3, CH - 5600 Lenzburg, Switzerland)
Paques G.
(ABB Switzerland Ltd, Semiconductors, Fabrikstrasse 3, CH - 5600 Lenzburg, Switzerland)
Geissmann S.
(ABB Switzerland Ltd, Semiconductors, Fabrikstrasse 3, CH - 5600 Lenzburg, Switzerland)
Iannuzzo F.
(Centre of Reliable Power Electronics (CORPE), Department of Energy Technology, Aalborg University, Pontoppidanstraede 101, 9220 Aalborg, Denmark)
Kopta A.
(ABB Switzerland Ltd, Semiconductors, Fabrikstrasse 3, CH - 5600 Lenzburg, Switzerland)
Rahimo M.
(ABB Switzerland Ltd, Semiconductors, Fabrikstrasse 3, CH - 5600 Lenzburg, Switzerland)

資料名:
Microelectronics Reliability  (Microelectronics Reliability)

巻: 64  ページ: 524-529  発行年: 2016年 
JST資料番号: C0530A  ISSN: 0026-2714  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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