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文献
J-GLOBAL ID：201702263562676006
整理番号：17A0412384
熱酸化法により成長させたVO_2膜の金属-絶縁体転移特性に及ぼす過剰酸化表面層の影響【Powered by NICT】
Effect of over-oxidized surface layer on metal insulator transition characteristics of VO2 films grown by thermal oxidation method
Kim Howon
(Department of Physics, Yonsei University, Seoul 120-749, Republic of Korea)
,
Mun Bongjin Simon
(Department of Physics and Photon Science, School of Physics and Chemistry, Gwangju Institute of Science and Technology, Gwangju 500-712, Republic of Korea)
,
Mun Bongjin Simon
(Ertl Center for Electrochemistry and Catalysis, Gwangju Institute of Science and Technology, Gwangju 500-712, Republic of Korea)
,
Park Changwoo
(Division of Applied Chemistry and Biotechnology, Hanbat National University, Daejeon 305-719, Republic of Korea)
,
Park Changwoo
(Advanced Nano Products, Sejong, 339-942, Republic of Korea)
,
Ju Honglyoul
(Department of Physics, Yonsei University, Seoul 120-749, Republic of Korea)
資料名：
Current Applied Physics
(Current Applied Physics)
巻： 17 号： 2 ページ： 197-200 発行年： 2017年
JST資料番号： W1579A ISSN： 1567-1739 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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