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文献
J-GLOBAL ID：201702263604803565
整理番号：17A0605272
アモルファスIn-Ga-Zn-O薄膜トランジスタにおける不均一電界および温度に基づく非対称劣化のモデリング
Modeling of asymmetric degradation based on a non-uniform electric field and temperature in amorphous In-Ga-Zn-O thin film transistors
KIM Jong In
(Seoul National Univ., Seoul, KOR)
,
JEONG Chan-Yong
(Chung-Ang Univ., Seoul, KOR)
,
KWON Hyuck-In
(Chung-Ang Univ., Seoul, KOR)
,
JUNG Keum Dong
(Samsung Display Co., Ltd, Yongin, KOR)
,
PARK Mun Soo
(Samsung Display Co., Ltd, Yongin, KOR)
,
KIM Ki Hwan
(Samsung Display Co., Ltd, Yongin, KOR)
,
SEO Mi Seon
(Samsung Display Co., Ltd, Yongin, KOR)
,
LEE Jong-Ho
(Seoul National Univ., Seoul, KOR)
資料名：
Semiconductor Science and Technology
(Semiconductor Science and Technology)
巻： 32 号： 3 ページ： 035017,1-7 発行年： 2017年03月
JST資料番号： E0503B ISSN： 0268-1242 CODEN： SSTEET 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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