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文献
J-GLOBAL ID：201702263607384361
整理番号：17A0027196
AlSb挿入層を有するタイプII InAs/GaAsSb超格子による検出波長の1μmに向けての推進
Pushing Detection Wavelength Toward $1¥mu ¥text{m}$ by Type II InAs/GaAsSb Superlattices With AlSb Insertion Layers
Zhang Yanhua
(Key Laboratory of Semiconductor Materials Science and the Beijing Key Laboratory of Low Dimensional Semiconductor Materials and Devices, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
,
Ma Wenquan
(Key Laboratory of Semiconductor Materials Science and the Beijing Key Laboratory of Low Dimensional Semiconductor Materials and Devices, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
,
Huang Jianliang
(Key Laboratory of Semiconductor Materials Science and the Beijing Key Laboratory of Low Dimensional Semiconductor Materials and Devices, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
,
Cao Yulian
(Key Laboratory of Semiconductor Materials Science and the Beijing Key Laboratory of Low Dimensional Semiconductor Materials and Devices, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
,
Liu Ke
(Key Laboratory of Semiconductor Materials Science and the Beijing Key Laboratory of Low Dimensional Semiconductor Materials and Devices, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
,
Huang Wenjun
(Key Laboratory of Semiconductor Materials Science and the Beijing Key Laboratory of Low Dimensional Semiconductor Materials and Devices, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
,
Zhao Chengcheng
(Key Laboratory of Semiconductor Materials Science and the Beijing Key Laboratory of Low Dimensional Semiconductor Materials and Devices, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
,
Ji Haiming
(Key Laboratory of Semiconductor Materials Science and the Beijing Key Laboratory of Low Dimensional Semiconductor Materials and Devices, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
,
Yang Tao
(Key Laboratory of Semiconductor Materials Science and the Beijing Key Laboratory of Low Dimensional Semiconductor Materials and Devices, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 37 号： 9 ページ： 1166-1169 発行年： 2016年
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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