文献
J-GLOBAL ID:201702263707057829
整理番号:17A1003932
原子層堆積にりるInP上に成長させたHfAlOゲート絶縁膜のバンドオフセットと界面特性
Band Offsets and Interfacial Properties of HfAlO Gate Dielectric Grown on InP by Atomic Layer Deposition
著者 (4件):
YANG Lifeng
(Shanghai Inst. of Applied Physics, Chinese Acad. of Sci.)
,
WANG Tao
(Fudan Univ.)
,
ZOU Ying
(Shanghai Inst. of Applied Physics, Chinese Acad. of Sci.)
,
LU Hong-Liang
(Fudan Univ.)
資料名:
Nanoscale Research Letters (Web)
(Nanoscale Research Letters (Web))
巻:
12
号:
1
ページ:
12:339 (WEB ONLY)
発行年:
2017年12月
JST資料番号:
U7001A
ISSN:
1931-7573
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)