文献
J-GLOBAL ID:201702263789007694
整理番号:17A1801619
高および低フラックス放射量のための4H-SiC検出器の利点と限界
Advantages and Limits of 4H-SIC Detectors for High- and Low-Flux Radiations
著者 (5件):
SCIUTO A.
(IMM, CNR, Catania, ITA)
,
TORRISI L.
(Universita di Messina, S. Agata, ITA)
,
CANNAVO A.
(Universita di Messina, S. Agata, ITA)
,
MAZZILLO M.
(Universita di Catania, Catania, ITA)
,
CALCAGNO L.
(ST-Microelectronics, Catania, ITA)
資料名:
Journal of Electronic Materials
(Journal of Electronic Materials)
巻:
46
号:
11
ページ:
6403-6410
発行年:
2017年11月
JST資料番号:
D0277B
ISSN:
0361-5235
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)