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文献
J-GLOBAL ID：201702263933130688
整理番号：17A0399715
プラズマ支援分子ビームエピタクシーにより成長させた半極性(20 <span style=text-decoration:overline>2</span> 1)および非極性(10 <span style=text-decoration:overline>1</span> 0)InGaNへのインジウム取り込み【Powered by NICT】
Indium incorporation in semipolar ( 20 <span style=text-decoration:overline>2</span> 1 ) and nonpolar ( 10 <span style=text-decoration:overline>1</span> 0 ) InGaN grown by plasma assisted molecular beam epitaxy
Sawicka M.
(Institute of High Pressure Physics, Polish Academy of Sciences, Sokolowska 29/37, 01-142 Warsaw, Poland)
,
Sawicka M.
(TopGaN Sp. z o.o., Sokolowska 29/37, 01-142 Warsaw, Poland)
,
Feduniewicz-Zmuda A.
(Institute of High Pressure Physics, Polish Academy of Sciences, Sokolowska 29/37, 01-142 Warsaw, Poland)
,
Krysko M.
(Institute of High Pressure Physics, Polish Academy of Sciences, Sokolowska 29/37, 01-142 Warsaw, Poland)
,
Turski H.
(Institute of High Pressure Physics, Polish Academy of Sciences, Sokolowska 29/37, 01-142 Warsaw, Poland)
,
Muziol G.
(Institute of High Pressure Physics, Polish Academy of Sciences, Sokolowska 29/37, 01-142 Warsaw, Poland)
,
Siekacz M.
(Institute of High Pressure Physics, Polish Academy of Sciences, Sokolowska 29/37, 01-142 Warsaw, Poland)
,
Wolny P.
(Paul-Drude-Institut fuer Festkorperelektronik, Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin, Germany)
,
Skierbiszewski C.
(Institute of High Pressure Physics, Polish Academy of Sciences, Sokolowska 29/37, 01-142 Warsaw, Poland)
,
Skierbiszewski C.
(TopGaN Sp. z o.o., Sokolowska 29/37, 01-142 Warsaw, Poland)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 459 ページ： 129-134 発行年： 2017年
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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