文献
J-GLOBAL ID:201702263982042379
整理番号:17A1705984
グラフェンにおける弱い局在化の開発による普遍コンダクタンスゆらぎの温度依存性【Powered by NICT】
Temperature dependence of universal conductance fluctuation due to development of weak localization in graphene
著者 (5件):
Terasawa D.
(Department of physics, Hyogo College of Medicine, Nishinomiya 663-8501, Japan)
,
Fukuda A.
(Department of physics, Hyogo College of Medicine, Nishinomiya 663-8501, Japan)
,
Fujimoto A.
(Applied Physics, Faculty of Engineering, Osaka Institute of Technology, Osaka 535-8585, Japan)
,
Ohno Y.
(Graduate School of Science and Technology, Tokushima University, Tokushima 770-8501, Japan)
,
Matsumoto K.
(The Institute of Scientific and Industrial Research, Osaka University, Ibaraki 567-0047, Japan)
資料名:
Solid State Communications
(Solid State Communications)
巻:
267
ページ:
14-17
発行年:
2017年
JST資料番号:
H0499A
ISSN:
0038-1098
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)