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文献
J-GLOBAL ID：201702264059078748
整理番号：17A0953637
正確および傾斜Ge/Si(001)基板上にMOCVD成長させたInGaAs/GaAs/AlGaAsレーザ構造の誘導放出について
On the Stimulated Emission of InGaAs/GaAs/AlGaAs Laser Structures Grown by MOCVD on Exact and Inclined Ge/Si(001) Substrates
ALESHKIN V. Ya.
(Inst. for Physics of Microstructures, Russian Acad. of Sci., Nizhny Novgorod, RUS)
,
ALESHKIN V. Ya.
(Lobachevsky State Univ. Nizhny Novgorod, Nizhny Novgorod, RUS)
,
BAIDUS N. V.
(Inst. for Physics of Microstructures, Russian Acad. of Sci., Nizhny Novgorod, RUS)
,
DUBINOV A. A.
(Inst. for Physics of Microstructures, Russian Acad. of Sci., Nizhny Novgorod, RUS)
,
DUBINOV A. A.
(Lobachevsky State Univ. Nizhny Novgorod, Nizhny Novgorod, RUS)
,
KRASILNIK Z. F.
(Inst. for Physics of Microstructures, Russian Acad. of Sci., Nizhny Novgorod, RUS)
,
KRASILNIK Z. F.
(Lobachevsky State Univ. Nizhny Novgorod, Nizhny Novgorod, RUS)
,
NEKORKIN S. M.
(Inst. for Physics of Microstructures, Russian Acad. of Sci., Nizhny Novgorod, RUS)
,
NEKORKIN S. M.
(Lobachevsky State Univ. Nizhny Novgorod, Nizhny Novgorod, RUS)
,
NOVIKOV A. V.
(Inst. for Physics of Microstructures, Russian Acad. of Sci., Nizhny Novgorod, RUS)
,
NOVIKOV A. V.
(Lobachevsky State Univ. Nizhny Novgorod, Nizhny Novgorod, RUS)
,
RYKOV A. V.
(Inst. for Physics of Microstructures, Russian Acad. of Sci., Nizhny Novgorod, RUS)
,
YURASOV D. V.
(Inst. for Physics of Microstructures, Russian Acad. of Sci., Nizhny Novgorod, RUS)
,
YURASOV D. V.
(Lobachevsky State Univ. Nizhny Novgorod, Nizhny Novgorod, RUS)
,
YABLONSKIY A. N.
(Inst. for Physics of Microstructures, Russian Acad. of Sci., Nizhny Novgorod, RUS)
資料名：
Semiconductors
(Semiconductors)
巻： 51 号： 5 ページ： 663-666 発行年： 2017年05月
JST資料番号： T0093A ISSN： 1063-7826 CODEN： SMICES 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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