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文献
J-GLOBAL ID：201702264093999484
整理番号：17A1646228
埋設多重ゲートInAsナノワイヤFET【Powered by NICT】
Buried multi-gate InAs-nanowire FETs
Grap Thomas
(Institute of Semiconductor Electronics, RWTH Aachen University, 52056 Aachen, Germany)
,
Riederer F.
(Institute of Semiconductor Electronics, RWTH Aachen University, 52056 Aachen, Germany)
,
Gupta C.
(Institute of Semiconductor Electronics, RWTH Aachen University, 52056 Aachen, Germany)
,
Knoch J.
(Institute of Semiconductor Electronics, RWTH Aachen University, 52056 Aachen, Germany)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017 号： ESSDERC ページ： 82-85 発行年： 2017年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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