文献
J-GLOBAL ID:201702264235321784
整理番号:17A0165905
酸化酸化物薄膜トランジスタのキープロセス研究【JST・京大機械翻訳】
Key Process Research of Indium Gallium Zinc Oxide Thin Film Transistor with Etch Stop Layer
著者 (6件):
Gao Jincheng
(BOE Technology Group Co. Ltd.)
,
Li Zhengliang
(BOE Technology Group Co. Ltd.)
,
Cao Zhanfeng
(BOE Technology Group Co. Ltd.)
,
Yao Qi
(BOE Technology Group Co. Ltd.)
,
Guan Feng
(BOE Technology Group Co. Ltd.)
,
Hui Guanbao
(BOE Technology Group Co. Ltd.)
資料名:
Guisuanyan Tongbao
(Guisuanyan Tongbao)
巻:
35
号:
9
ページ:
2946-2949
発行年:
2016年
JST資料番号:
C2439A
ISSN:
1001-1625
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
中国 (CHN)
言語:
中国語 (ZH)