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文献
J-GLOBAL ID：201702264272373186
整理番号：17A0210443
高濃度金属1T相を有する単層MoS2xSe2(1-x)とMoxW1-xS2ナノシートの調製
Preparation of Single-Layer MoS2 xSe2(1- x ) and MoxW1- xS2 Nanosheets with High-Concentration Metallic 1T Phase
Tan Chaoliang
(Center for Programmable Materials, School of Materials Science and Engineering, Nanyang Technological University, 50 Nanyang Avenue, Singapore, 639798, Singapore)
,
Zhao Wei
(Center for Programmable Materials, School of Materials Science and Engineering, Nanyang Technological University, 50 Nanyang Avenue, Singapore, 639798, Singapore)
,
Chaturvedi Apoorva
(Center for Programmable Materials, School of Materials Science and Engineering, Nanyang Technological University, 50 Nanyang Avenue, Singapore, 639798, Singapore)
,
Fei Zhen
(State Key Laboratory of Silicon Materials, School of Materials Science and Engineering, Zhejiang University, Hangzhou, Zhejiang, 310027, China)
,
Zeng Zhiyuan
(Materials Sciences Division, Lawrence Berkeley National Laboratory, Berkeley, CA, 94720, USA)
,
Chen Junze
(Center for Programmable Materials, School of Materials Science and Engineering, Nanyang Technological University, 50 Nanyang Avenue, Singapore, 639798, Singapore)
,
Huang Ying
(Center for Programmable Materials, School of Materials Science and Engineering, Nanyang Technological University, 50 Nanyang Avenue, Singapore, 639798, Singapore)
,
Ercius Peter
(National Center for Electron Microscopy, Molecular Foundry, Lawrence Berkeley National Laboratory, Berkeley, CA, 94720, USA)
,
Luo Zhimin
(Center for Programmable Materials, School of Materials Science and Engineering, Nanyang Technological University, 50 Nanyang Avenue, Singapore, 639798, Singapore)
,
Qi Xiaoying
(Singapore Institute of Manufacturing Technology, 71 Nanyang Drive, Singapore, 638075, Singapore)
,
Chen Bo
(Center for Programmable Materials, School of Materials Science and Engineering, Nanyang Technological University, 50 Nanyang Avenue, Singapore, 639798, Singapore)
,
Lai Zhuangchai
(Center for Programmable Materials, School of Materials Science and Engineering, Nanyang Technological University, 50 Nanyang Avenue, Singapore, 639798, Singapore)
,
Li Bing
(Institute of Materials Research and Engineering (IMRE), A*STAR (Agency for Science Technology and Research), 2 Fusionopolis Way, Innovis #08-03, Singapore, 138634, Singapore)
,
Zhang Xiao
(Center for Programmable Materials, School of Materials Science and Engineering, Nanyang Technological University, 50 Nanyang Avenue, Singapore, 639798, Singapore)
,
Yang Jian
(Center for Programmable Materials, School of Materials Science and Engineering, Nanyang Technological University, 50 Nanyang Avenue, Singapore, 639798, Singapore)
,
Zong Yun
(Institute of Materials Research and Engineering (IMRE), A*STAR (Agency for Science Technology and Research), 2 Fusionopolis Way, Innovis #08-03, Singapore, 138634, Singapore)
,
Jin Chuanhong
(State Key Laboratory of Silicon Materials, School of Materials Science and Engineering, Zhejiang University, Hangzhou, Zhejiang, 310027, China)
,
Zheng Haimei
(Materials Sciences Division, Lawrence Berkeley National Laboratory, Berkeley, CA, 94720, USA)
,
Kloc Christian
(Center for Programmable Materials, School of Materials Science and Engineering, Nanyang Technological University, 50 Nanyang Avenue, Singapore, 639798, Singapore)
,
Zhang Hua
(Center for Programmable Materials, School of Materials Science and Engineering, Nanyang Technological University, 50 Nanyang Avenue, Singapore, 639798, Singapore)
資料名：
Small
(Small)
巻： 12 号： 14 ページ： 1866-1874 発行年： 2016年04月13日
JST資料番号： W2348A ISSN： 1613-6810 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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