文献
J-GLOBAL ID:201702264293099112
整理番号:17A0705595
arsenene,antimoneneとアンチモンひ化合金中の点欠陥の構造,移動度と電子的性質【Powered by NICT】
Structures, mobility and electronic properties of point defects in arsenene, antimonene and an antimony arsenide alloy
著者 (8件):
Sun Xiaotian
(Functional Nano & Soft Materials Laboratory (FUNSOM) and Collaborative Innovation Center of Suzhou Nano Science and Technology Jiangsu Key Laboratory for Carbon-Based Functional Materials & Devices, Soochow University, Suzhou, Jiangsu 215123, China. lwang22@suda.edu.cn yyli@suda.edu.cn)
,
Liu Yunxia
,
Song Zhigang
,
Li Yongdan
,
Wang Weizhou
,
Lin Haiping
,
Wang Lu
,
Li Youyong
資料名:
Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices
(Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻:
5
号:
17
ページ:
4159-4166
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2383A
ISSN:
2050-7526
CODEN:
JMCCCX
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)