文献
J-GLOBAL ID:201702264399111399
整理番号:17A1482416
複雑なタイプII InGaAs/InAs/GaAsSbナノスケールヘテロ構造の一軸歪に誘起された光学的性質【Powered by NICT】
Uniaxial strain induced optical properties of complex type-II InGaAs/InAs/GaAsSb nano-scale heterostructure
著者 (5件):
Bhardwaj Garima
(Department of Electronics, Banasthali University, Banasthali, 304022 Rajasthan, India)
,
Yadav Nisha
(Department of Physics, Banasthali University, Banasthali, 304022 Rajasthan, India)
,
Anjum S.G.
(Department of Electronics, F/o of Engineering & Technology, Aligarh Muslim University, Aligarh 202002, UP, India)
,
Siddiqui M.J.
(Department of Electronics, F/o of Engineering & Technology, Aligarh Muslim University, Aligarh 202002, UP, India)
,
Alvi P.A.
(Department of Physics, Banasthali University, Banasthali, 304022 Rajasthan, India)
資料名:
Optik
(Optik)
巻:
146
ページ:
8-16
発行年:
2017年
JST資料番号:
D0251A
ISSN:
0030-4026
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)