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文献
J-GLOBAL ID：201702264493826653
整理番号：17A1465162
基板加熱無しでのECR ArプラズマCVDにより形成されたSi/SiGe Alloy/Si(100)ヘテロ構造の電子的性質【Powered by NICT】
Electronic properties of Si/Si-Ge Alloy/Si(100) heterostructures formed by ECR Ar plasma CVD without substrate heating
Ueno Naofumi
(Laboratory for Nanoelectronics and Spintronics, Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University, 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai 980-8577, Japan)
,
Sakuraba Masao
(Laboratory for Nanoelectronics and Spintronics, Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University, 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai 980-8577, Japan)
,
Osakabe Yoshihiro
(Laboratory for Nanoelectronics and Spintronics, Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University, 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai 980-8577, Japan)
,
Akima Hisanao
(Laboratory for Nanoelectronics and Spintronics, Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University, 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai 980-8577, Japan)
,
Sato Shigeo
(Laboratory for Nanoelectronics and Spintronics, Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University, 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai 980-8577, Japan)
資料名：
Materials Science in Semiconductor Processing
(Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 70 ページ： 55-62 発行年： 2017年
JST資料番号： W1055A ISSN： 1369-8001 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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