前のページに戻る
この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID：201702264647015675
整理番号：17A1262386
分子ビームエピタクシーによるGaN再成長を用いた1.1kV垂直GaN PNダイオード【Powered by NICT】
1.1-kV Vertical GaN p-n Diodes With p-GaN Regrown by Molecular Beam Epitaxy
Hu Zongyang
(School of Electrical and Computer Engineering, Cornell University, Ithaca, NY, USA)
,
Nomoto Kazuki
(School of Electrical and Computer Engineering, Cornell University, Ithaca, NY, USA)
,
Qi Meng
(Department of Electrical Engineering, University of Notre Dame, Notre Dame, IN, USA)
,
Li Wenshen
(School of Electrical and Computer Engineering, Cornell University, Ithaca, NY, USA)
,
Zhu Mingda
(School of Electrical and Computer Engineering, Cornell University, Ithaca, NY, USA)
,
Gao Xiang
(IQE RF LLC, Somerset, NJ, USA)
,
Jena Debdeep
(Department of Materials Science and Engineering, School of Electrical and Computer Engineering, Cornell University, Ithaca, NY, USA)
,
Xing Huili Grace
(Department of Materials Science and Engineering, School of Electrical and Computer Engineering, Cornell University, Ithaca, NY, USA)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 38 号： 8 ページ： 1071-1074 発行年： 2017年
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。