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文献
J-GLOBAL ID：201702264810518992
整理番号：17A1488544
高電力RF応用のための20nmゲートInAlN/GaN高電子移動度トランジスタのDCおよびマイクロ波特性【Powered by NICT】
DC and microwave characteristics of 20 nm T-gate InAlN/GaN high electron mobility transistor for high power RF applications
Murugapandiyan P.
(Research Scholar, Faculty of Information and Communication Engineering, Anna University, Chennai, Tamilnadu, India)
,
Ravimaran S.
(Department of Electrical and Computer Science, M.A.M College of Engineering, Trichy, Tamilnadu, India)
,
William J.
(Department of Electronics and Communication Engineering, M.A.M. College of Engineering and Technology, Trichy, Tamilnadu, India)
,
Ajayan J.
(Department of Electronics and Communication Engineering, SNS College of Technology, Coimbatore, Tamilnadu, India)
,
Nirmal D.
(Department of Electronics and Communication Engineering, Karunya University, Coimbatore, Tamilnadu, India)
資料名：
Superlattices and Microstructures
(Superlattices and Microstructures)
巻： 109 ページ： 725-734 発行年： 2017年
JST資料番号： D0600B ISSN： 0749-6036 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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