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文献
J-GLOBAL ID：201702264862256534
整理番号：17A0345840
ガス源分子が成長するINPBI薄膜材料中の深い準位中心【JST・京大機械翻訳】
Deep Centers in InPBi Thin Film Grown by Gas Source Molecular Beam Epitaxy
Wang Hailong
(Shandong Provincial Key Laboratory of Laser Polarization and Information Technology,College of Physics and Engineering,Qufu Normal University)
,
Wei Zhilu
(Shandong Provincial Key Laboratory of Laser Polarization and Information Technology,College of Physics and Engineering,Qufu Normal University)
,
Li Yaoyao
(State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics,Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology,Chinese Academy of Sciences)
,
Wang Kai
(State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics,Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology,Chinese Academy of Sciences)
,
Pan Wenwu
(State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics,Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology,Chinese Academy of Sciences)
,
Wu Xiaoyan
(State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics,Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology,Chinese Academy of Sciences)
,
Yue Li
(State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics,Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology,Chinese Academy of Sciences)
,
Li Shiling
(Shandong Provincial Key Laboratory of Laser Polarization and Information Technology,College of Physics and Engineering,Qufu Normal University)
,
Gong Qian
(State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics,Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology,Chinese Academy of Sciences)
,
Wang Shumin
(State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics,Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology,Chinese Academy of Sciences)
資料名：
Faguang Xuebao
(Faguang Xuebao)
巻： 37 号： 12 ページ： 1532-1537 発行年： 2016年
JST資料番号： W1380A ISSN： 1000-7032 CODEN： FAXUEW 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 中国 (CHN) 言語： 中国語 (ZH)
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