文献
J-GLOBAL ID:201702264930286524
整理番号:17A0696021
二重障壁共鳴トンネルダイオードの負性微分電気伝導率の磁場依存性
Magnetic Field Dependence of Negative Differential Conductivity in Double Barrier Resonant Tunneling Diodes
著者 (4件):
ZHOU D.M.
(Univ., Chinese Acad. Sci.)
,
ZHOU D.M.
(Shanghai Inst. Technical Physics, Chinese Acad. Sci., Shanghai, CHN)
,
ZHOU D.M.
(Univ. Duisburg-Essen, Duisburg, DEU)
,
XIONG D.Y.
(East China Normal Univ., Shanghai, CHN)
資料名:
Journal of Nanoscience and Nanotechnology
(Journal of Nanoscience and Nanotechnology)
巻:
16
号:
8
ページ:
8055-8060
発行年:
2016年08月
JST資料番号:
W1351A
ISSN:
1533-4880
CODEN:
JNNOAR
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)