文献
J-GLOBAL ID:201702265027761166
整理番号:17A0666306
二重独立ゲートFinFETのための連続コンパクトDCモデル【Powered by NICT】
A Continuous Compact DC Model for Dual-Independent-Gate FinFETs
著者 (3件):
Hasan Mehdi
(Department of Electrical and Computer Engineering, University of Utah, Salt Lake City, UT, USA)
,
Gaillardon Pierre-Emmanuel
(Department of Electrical and Computer Engineering, University of Utah, Salt Lake City, UT, USA)
,
Sensale-Rodriguez Berardi
(Department of Electrical and Computer Engineering, University of Utah, Salt Lake City, UT, USA)
資料名:
IEEE Journal of the Electron Devices Society
(IEEE Journal of the Electron Devices Society)
巻:
5
号:
1
ページ:
23-31
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2429A
ISSN:
2168-6734
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)