文献
J-GLOBAL ID:201702265053267633
整理番号:17A1426966
株を改変したMgZnO層上に成長させたa面GaN/AlGaN量子井戸レーザの光学利得特性【Powered by NICT】
Optical gain characteristics of a-plane GaN/AlGaN quantum well lasers grown on strain-engineered MgZnO layer
著者 (1件):
Park Seoung-Hwan
(Department of Electronics Engineering, Catholic University of Daegu, Hayang, Kyeongsan, Kyeongbuk 38430, Republic of Korea)
資料名:
Physica B. Condensed Matter
(Physica B. Condensed Matter)
巻:
521
ページ:
32-35
発行年:
2017年
JST資料番号:
H0676B
ISSN:
0921-4526
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)