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文献
J-GLOBAL ID：201702265094398317
整理番号：17A0381545
バルク4H-SiCからの複合体と放出された構造のためのハイスループットパルスレーザ製造エッチプロセス【Powered by NICT】
High-throughput pulsed laser manufacturing etch process for complex and released structures from bulk 4H-SiC
Ransom Elliot H.
(Stanford University, Stanford, California, USA)
,
Dowling Karen M.
(Stanford University, Stanford, California, USA)
,
Rocca-Bejar Daniela
(Florida International University, Miami, Florida, USA)
,
Palko James W.
(Stanford University, Stanford, California, USA)
,
Senesky Debbie G.
(Stanford University, Stanford, California, USA)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017 号： MEMS ページ： 671-674 発行年： 2017年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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