文献
J-GLOBAL ID:201702265113030925
整理番号:17A0181082
バンドエンジニアリング,II型InAs/GaSb超格子系検出器の成長と特性【Powered by NICT】
Band engineering, growth and characteristics of type-II InAs/GaSb superlattice-based detectors
著者 (7件):
Khoshakhlagh A.
(Jet Propulsion Laboratory, California Institute of Technolog)
,
Ting D. Z.
(Jet Propulsion Laboratory, California Institute of Technolog)
,
Soibel A.
(Jet Propulsion Laboratory, California Institute of Technolog)
,
Hill C. J.
(Jet Propulsion Laboratory, California Institute of Technolog)
,
Hoglund L.
(Jet Propulsion Laboratory, California Institute of Technolog)
,
Keo S. A.
(Jet Propulsion Laboratory, California Institute of Technolog)
,
Gunapala S. D.
(Jet Propulsion Laboratory, California Institute of Technolog)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2016
号:
IPC
ページ:
468-469
発行年:
2016年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)