文献
J-GLOBAL ID:201702265264561228
整理番号:17A0617122
高圧手法により合成したYbドープBa8Ni0.1Zn0.54Ga13.8Ge31.56タイプI包接化合物の熱電性能
Thermoelectric Performance of Yb-Doped Ba8Ni0.1Zn0.54Ga13.8Ge31.56 Type-I Clathrate Synthesized by High-Pressure Technique
著者 (4件):
CHEN Chen
(Yanshan Univ., Hebei, CHN)
,
ZHANG Long
(Yanshan Univ., Hebei, CHN)
,
DONG Jianying
(Yanshan Univ., Hebei, CHN)
,
XU Bo
(Yanshan Univ., Hebei, CHN)
資料名:
Journal of Electronic Materials
(Journal of Electronic Materials)
巻:
46
号:
5
ページ:
2860-2866
発行年:
2017年05月
JST資料番号:
D0277B
ISSN:
0361-5235
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)