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文献
J-GLOBAL ID：201702265363446442
整理番号：17A0204216
ZnO系薄膜トランジスタの性能に及ぼすBi(1.5)Zn(1.0)Nb(1.5)O_7ゲート絶縁体のアニーリング温度の影響【Powered by NICT】
Effect of annealing temperature of Bi_(1.5)Zn_(1.0)Nb_(1.5)O_7 gate insulator on performance of ZnO based thin film transistors
Ye Wei
(Electronic Materials Research Laboratory, Xi’an Jiaotong University)
,
Ren Wei
(Electronic Materials Research Laboratory, Xi’an Jiaotong University)
,
Shi Peng
(Electronic Materials Research Laboratory, Xi’an Jiaotong University)
,
Jiang Zhuangde
(Xi’an Jiaotong University)
資料名：
Journal of Semiconductors
(Journal of Semiconductors)
巻： 37 号： 7 ページ： 074007-1-074007-6 発行年： 2016年
JST資料番号： C2377A ISSN： 1674-4926 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 中国 (CHN) 言語： 英語 (EN)
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