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文献
J-GLOBAL ID：201702265383476088
整理番号：17A1251245
HfO2の原子層堆積によるHfS2トランジスタの性能改善【Powered by NICT】
Performance Improvement of HfS2 Transistors by Atomic Layer Deposition of HfO2
Kanazawa Toru
(Tokyo Institute of Technology, Meguro, Japan)
,
Amemiya Tomohiro
(Tokyo Institute of Technology, Meguro, Japan)
,
Upadhyaya Vikrant
(Tokyo Institute of Technology, Meguro, Japan)
,
Ishikawa Atsushi
(Okayama University, Okayama, Japan)
,
Tsuruta Kenji
(Okayama University, Okayama, Japan)
,
Tanaka Takuo
(RIKEN, Wako, Japan)
,
Miyamoto Yasuyuki
(Tokyo Institute of Technology, Meguro, Japan)
資料名：
IEEE Transactions on Nanotechnology
(IEEE Transactions on Nanotechnology)
巻： 16 号： 4 ページ： 582-587 発行年： 2017年
JST資料番号： W1355A ISSN： 1536-125X CODEN： ITNECU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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