文献
J-GLOBAL ID:201702265425695485
整理番号:17A0885729
確率微分方程式を用いたReRAMにおけるナノスケール抵抗フィラメント変動の解析的モデル化【Powered by NICT】
Analytic Modeling for Nanoscale Resistive Filament Variation in ReRAM With Stochastic Differential Equation
著者 (2件):
Wei Zhiqiang
(Semiconductor Business Unit, Panasonic Semiconductor Solutions Co., Ltd., Nagaokakyo, Japan)
,
Eriguchi Koji
(Department of Aeronautics and Astronautics, Graduate School of Engineering, Kyoto University, Kyoto, Japan)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
64
号:
5
ページ:
2201-2206
発行年:
2017年
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)