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文献
J-GLOBAL ID：201702265562133279
整理番号：17A1623039
SROベースLECの電気光学性能に及ぼすゲートと誘電体厚さの影響:抵抗スイッチング,IRおよび深紫外発光【Powered by NICT】
Influence of the gate and dielectric thickness on the electro-optical performance of SRO-based LECs: Resistive switching, IR and deep UV emission
Cabanas-Tay S.A.
(Centro de Investigacion en Materiales Avanzados S.C., Unidad Monterrey-PIIT, 66600 Apodaca, Nuevo Leon, Mexico)
,
Palacios-Huerta L.
(INAOE, Departamento de Electronica, Apartado 51, Puebla 72000, Mexico)
,
Aceves-Mijares M.
(INAOE, Departamento de Electronica, Apartado 51, Puebla 72000, Mexico)
,
Alvarez-Quintana J.
(Centro de Investigacion en Materiales Avanzados S.C., Unidad Monterrey-PIIT, 66600 Apodaca, Nuevo Leon, Mexico)
,
Perez-Garcia S.A.
(Centro de Investigacion en Materiales Avanzados S.C., Unidad Monterrey-PIIT, 66600 Apodaca, Nuevo Leon, Mexico)
,
Dominguez-Horna C.
(Instituto de Microelectronica de Barcelona, (IMB-CNM, CSIC), Bellaterra, 08103 Barcelona, Spain)
,
Morales-Sanchez A.
(Centro de Investigacion en Materiales Avanzados S.C., Unidad Monterrey-PIIT, 66600 Apodaca, Nuevo Leon, Mexico)
資料名：
Journal of Luminescence
(Journal of Luminescence)
巻： 192 ページ： 919-924 発行年： 2017年
JST資料番号： D0731A ISSN： 0022-2313 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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