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文献
J-GLOBAL ID：201702265564865556
整理番号：17A1482912
超薄原子層堆積したAl_2O_3とポストメタライゼーションアニーリングに基づく金属-絶縁体-半導体コンデンサにおけるゲートトンネル電流の正確なモデリング【Powered by NICT】
Accurate modeling of gate tunneling currents in Metal-Insulator-Semiconductor capacitors based on ultra-thin atomic-layer deposited Al2O3 and post-metallization annealing
Molina-Reyes Joel
(National Institute of Astrophysics, Optics and Electronics (INAOE), Electronics Department, Luis Enrique Erro No.1, Santa Maria Tonantzintla, Puebla. C.P. 72840, Mexico)
,
Uribe-Vargas Hector
(National Institute of Astrophysics, Optics and Electronics (INAOE), Electronics Department, Luis Enrique Erro No.1, Santa Maria Tonantzintla, Puebla. C.P. 72840, Mexico)
,
Torres-Torres Reydezel
(National Institute of Astrophysics, Optics and Electronics (INAOE), Electronics Department, Luis Enrique Erro No.1, Santa Maria Tonantzintla, Puebla. C.P. 72840, Mexico)
,
Mani-Gonzalez P.G.
(Universidad Autonoma de Ciudad Juarez (UACJ), Ciudad Juarez, Chihuahua 32310, Mexico)
,
Herrera-Gomez A.
(Centro de Investigacion y de Estudios Avanzados (CINVESTAV), Queretaro, Queretaro 76230, Mexico)
資料名：
Thin Solid Films
(Thin Solid Films)
巻： 638 ページ： 48-56 発行年： 2017年
JST資料番号： B0899A ISSN： 0040-6090 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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