文献
J-GLOBAL ID:201702265586057192
整理番号:17A1646263
850/1310/1550nm完全集積光受信機のための28nmバルクCMOSにおけるSchottkyダイオードのモデリング,設計と特性化【Powered by NICT】
Modelling, design and characterization of Schottky diodes in 28nm bulk CMOS for 850/1310/1550nm fully integrated optical receivers
著者 (3件):
Diels Wouter
(Department of Electrical Engineering, Katholieke Universiteit Leuven 3001 Leuven, Belgium)
,
Steyaert Michiel
(Department of Electrical Engineering, Katholieke Universiteit Leuven 3001 Leuven, Belgium)
,
Tavernier Filip
(Department of Electrical Engineering, Katholieke Universiteit Leuven 3001 Leuven, Belgium)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
ESSDERC
ページ:
224-227
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)