文献
J-GLOBAL ID:201702265665072908
整理番号:17A0766113
AlGaN/GaNヘテロ構造の電気的性質に及ぼすGaN層中の転位の影響【Powered by NICT】
Influence of dislocations in the GaN layer on the electrical properties of an AlGaN/GaN heterostructure
著者 (5件):
Gao Zhi-Yuan
(School of Microelectronics, Xidian University)
,
Hao Yue
(School of Microelectronics, Xidian University)
,
Zhang Jin-Cheng
(School of Microelectronics, Xidian University)
,
Li Pei-Xian
(School of Microelectronics, Xidian University)
,
Gu Wen-Ping
(School of Microelectronics, Xidian University)
資料名:
Chinese Physics B
(Chinese Physics B)
巻:
18
号:
11
ページ:
4970-4975
発行年:
2009年11月
JST資料番号:
W1539A
ISSN:
1674-1056
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
中国 (CHN)
言語:
英語 (EN)