文献
J-GLOBAL ID:201702265921200355
整理番号:17A1649034
断熱稼働ワード線を用いた単一ビット線SRAMセルのための改良された読取雑音余裕特性【Powered by NICT】
Improved read noise margin characteristics for single bit line SRAM cell using adiabatically operated word line
著者 (2件):
Manna Ayon
(School of Electronics Engineering, VIT University, Chennai-600127, India)
,
Bhaaskaran V S Kanchana
(School of Electronics Engineering, VIT University, Chennai-600127, India)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
ICNETS2
ページ:
385-393
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)