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文献
J-GLOBAL ID：201702265931752768
整理番号：17A0912771
DRAMのSWD回路におけるNMOSFETのオフ状態ホットキャリア劣化と回復に関する研究【Powered by NICT】
Study on off-state hot carrier degradation and recovery of NMOSFET in SWD circuits of DRAM
Kim Kangil
(School of Information and Communication Engineering, Sungkyunkwan Univ, Suwon, Gyunggi-do, 440-746, Korea)
,
Chung Ilsub
(School of Information and Communication Engineering, Sungkyunkwan Univ, Suwon, Gyunggi-do, 440-746, Korea)
,
Sun Duan
(DRAM Product & Technology, DRAM Business, Samsung Electronics Co. Ltd, Samsungjeonja-ro, Hwasung-si, Gyunggi-do, 445-330, Korea)
,
Rhe Sangjae
(DRAM Product & Technology, DRAM Business, Samsung Electronics Co. Ltd, Samsungjeonja-ro, Hwasung-si, Gyunggi-do, 445-330, Korea)
,
Kim Ilgweon
(DRAM Product & Technology, DRAM Business, Samsung Electronics Co. Ltd, Samsungjeonja-ro, Hwasung-si, Gyunggi-do, 445-330, Korea)
,
Hwang Hongsun
(DRAM Product & Technology, DRAM Business, Samsung Electronics Co. Ltd, Samsungjeonja-ro, Hwasung-si, Gyunggi-do, 445-330, Korea)
,
Cho Kangyong
(DRAM Product & Technology, DRAM Business, Samsung Electronics Co. Ltd, Samsungjeonja-ro, Hwasung-si, Gyunggi-do, 445-330, Korea)
,
Jin Gyoyoung
(DRAM Product & Technology, DRAM Business, Samsung Electronics Co. Ltd, Samsungjeonja-ro, Hwasung-si, Gyunggi-do, 445-330, Korea)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016 号： IIRW ページ： 91-94 発行年： 2016年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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