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文献
J-GLOBAL ID：201702265958901672
整理番号：17A0680734
Rashba半導体BiTeBr中の擬粒子散乱:スピンと欠陥格子サイトの役割
Quasiparticle Scattering in the Rashba Semiconductor BiTeBr: The Roles of Spin and Defect Lattice Site
BUTLER Christopher John
(National Taiwan Univ., Taipei, TWN)
,
YANG Po-Ya
(National Taiwan Univ., Taipei, TWN)
,
SANKAR Raman
(Inst. of Physics, Academia Sinica, Taipei, TWN)
,
SANKAR Raman
(National Taiwan Univ., Taipei, TWN)
,
LIEN Yen-Neng
(National Taiwan Univ., Taipei, TWN)
,
LU Chun-I
(National Taiwan Univ., Taipei, TWN)
,
CHANG Luo-Yueh
(National Synchrotron Radiation Res. Center, Hsinchu, TWN)
,
CHEN Chia-Hao
(National Synchrotron Radiation Res. Center, Hsinchu, TWN)
,
WEI Ching-Ming
(Inst. of Physics, Academia Sinica, Taipei, TWN)
,
CHOU Fang-Cheng
(National Taiwan Univ., Taipei, TWN)
,
CHOU Fang-Cheng
(National Synchrotron Radiation Res. Center, Hsinchu, TWN)
,
CHOU Fang-Cheng
(National Sci. Council, Taipei, TWN)
,
LIN Minn-Tsong
(National Taiwan Univ., Taipei, TWN)
,
LIN Minn-Tsong
(Inst. of Physics, Academia Sinica, Taipei, TWN)
資料名：
ACS Nano
(ACS Nano)
巻： 10 号： 10 ページ： 9361-9369 発行年： 2016年10月
JST資料番号： W2326A ISSN： 1936-0851 CODEN： ANCAC3 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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