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文献
J-GLOBAL ID：201702265991123736
整理番号：17A1019995
MOCVDを用いたGaAs(001)基板上のInAsSb膜の成長のためのバッファフリー法【Powered by NICT】
A buffer-free method for growth of InAsSb films on GaAs (001) substrates using MOCVD
Ni Pei-Nan
(School of Electrical & Electronic Engineering, Nanyang Technological University, 50 Nanyang Avenue, 639798 Singapore)
,
Tong Jin-Chao
(School of Electrical & Electronic Engineering, Nanyang Technological University, 50 Nanyang Avenue, 639798 Singapore)
,
Tobing Landobasa Y.M.
(School of Electrical & Electronic Engineering, Nanyang Technological University, 50 Nanyang Avenue, 639798 Singapore)
,
Xu Zheng-Ji
(School of Electrical & Electronic Engineering, Nanyang Technological University, 50 Nanyang Avenue, 639798 Singapore)
,
Qiu Shupeng
(School of Electrical & Electronic Engineering, Nanyang Technological University, 50 Nanyang Avenue, 639798 Singapore)
,
Tang Xiao-Hong
(School of Electrical & Electronic Engineering, Nanyang Technological University, 50 Nanyang Avenue, 639798 Singapore)
,
Zhang Dao-Hua
(School of Electrical & Electronic Engineering, Nanyang Technological University, 50 Nanyang Avenue, 639798 Singapore)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 468 ページ： 252-257 発行年： 2017年
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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