文献
J-GLOBAL ID:201702265999664183
整理番号:17A0666057
AlGaN/GaN/AlGaN共鳴トンネルダイオードの性能に及ぼすヘテロ接合スペーサの影響【Powered by NICT】
Influence of the Heterojunction Spacer on the Performance of AlGaN/GaN/AlGaN Resonant Tunneling Diodes
著者 (4件):
Gao Bo
(Key Laboratory for Microelectronics, College of Physical Science and Technology, Sichuan University, Chengdu, China)
,
Ma Yao
(Key Laboratory for Microelectronics, College of Physical Science and Technology, Sichuan University, Chengdu, China)
,
Liu Yang
(Key Laboratory for Microelectronics, College of Physical Science and Technology, Sichuan University, Chengdu, China)
,
Gong Min
(Key Laboratory for Microelectronics, College of Physical Science and Technology, Sichuan University, Chengdu, China)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
64
号:
1
ページ:
84-88
発行年:
2017年
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)