文献
J-GLOBAL ID:201702266052598474
整理番号:17A1350206
9.5THz Vのメリットf_max V_DS,Q指数の提案を持つサファイア上のN極性GaN MIS-HEMT【Powered by NICT】
N-polar GaN MIS-HEMTs on sapphire with a proposed figure of merit fmax VDS, Q of 9.5THz.V
著者 (9件):
Zheng Xun
(University of California Santa Barbarae, Santa Barbara, CA 93106, USA)
,
Guidry Matthew
(University of California Santa Barbarae, Santa Barbara, CA 93106, USA)
,
Li Haoran
(University of California Santa Barbarae, Santa Barbara, CA 93106, USA)
,
Romanczyk Brian
(University of California Santa Barbarae, Santa Barbara, CA 93106, USA)
,
Ahmadi Elaheh
(University of California Santa Barbarae, Santa Barbara, CA 93106, USA)
,
Hestroffer Karine
(University of California Santa Barbarae, Santa Barbara, CA 93106, USA)
,
Wienecke Steven
(University of California Santa Barbarae, Santa Barbara, CA 93106, USA)
,
Keller Stacia
(University of California Santa Barbarae, Santa Barbara, CA 93106, USA)
,
Mishra Umesh K.
(University of California Santa Barbarae, Santa Barbara, CA 93106, USA)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
DRC
ページ:
1-2
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)