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文献
J-GLOBAL ID：201702266053132778
整理番号：17A1236899
擬ハロゲン化物気相エピタクシーにより成長させた炭素ドープGaN層【Powered by NICT】
Carbon doped GaN layers grown by Pseudo-Halide Vapour Phase Epitaxy
Siche Dietmar
(Leibniz Institute for Crystal Growth, Max-Born-Str. 2, D-12489, Berlin, Germany)
,
Zwierz Radoslaw
(Leibniz Institute for Crystal Growth, Max-Born-Str. 2, D-12489, Berlin, Germany)
,
Kachel Krzysztof
(Leibniz Institute for Crystal Growth, Max-Born-Str. 2, D-12489, Berlin, Germany)
,
Kachel Krzysztof
(Currently employed by ASM Belgium N.V., Kapeldreef 75, B-3001, Leuven, Belgium)
,
Jankowski Nadja
(Institut fuer Festkorperphysik, TU Berlin, Hardenbergstrasse 36, 10623, Berlin, Germany)
,
Nenstiel Christian
(Institut fuer Festkorperphysik, TU Berlin, Hardenbergstrasse 36, 10623, Berlin, Germany)
,
Callsen Gordon
(Institut fuer Festkorperphysik, TU Berlin, Hardenbergstrasse 36, 10623, Berlin, Germany)
,
Bickermann Matthias
(Leibniz Institute for Crystal Growth, Max-Born-Str. 2, D-12489, Berlin, Germany)
,
Hoffmann Axel
(Institut fuer Festkorperphysik, TU Berlin, Hardenbergstrasse 36, 10623, Berlin, Germany)
資料名：
Crystal Research and Technology
(Crystal Research and Technology)
巻： 52 号： 8 ページ： null 発行年： 2017年
JST資料番号： B0738A ISSN： 0232-1300 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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