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文献
J-GLOBAL ID：201702266120827364
整理番号：17A0388722
室温付近のChern絶縁体とDiracスピンギャップレス半導体:塩化ニッケル単分子層【Powered by NICT】
Near-room-temperature Chern insulator and Dirac spin-gapless semiconductor: nickel chloride monolayer
He Junjie
(Department of Physical and Macromolecular Chemistry, Faculty of Science, Charles University in Prague, 128 43 Prague 2, Czech Republic. lixiao150@gmail.com petr.nachtigall@natur.cuni.cz)
,
Li Xiao
,
Lyu Pengbo
,
Nachtigall Petr
資料名：
Nanoscale
(Nanoscale)
巻： 9 号： 6 ページ： 2246-2252 発行年： 2017年
JST資料番号： W2323A ISSN： 2040-3364 CODEN： NANOHL 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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