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文献
J-GLOBAL ID:201702266269447244   整理番号:17A0759464

4H-SiC垂直JFETの動作に及ぼすチャネル幅の効果【Powered by NICT】

Channel width effect on the operation of 4H-SiC vertical JFETs
著者 (8件):
Vamvoukakis K.
(MRG-IESL/FORTH, Vassilika Vouton, PO Box 1385, Heraklion, Greece)
Stefanakis D.
(MRG-IESL/FORTH, Vassilika Vouton, PO Box 1385, Heraklion, Greece)
Stavrinidis A.
(MRG-IESL/FORTH, Vassilika Vouton, PO Box 1385, Heraklion, Greece)
Vassilevski K.
(School of Electrical and Electronic Engineering, Newcastle University, Newcastle upon Tyne, NE1 7RU, UK)
Konstantinidis G.
(MRG-IESL/FORTH, Vassilika Vouton, PO Box 1385, Heraklion, Greece)
Kayambaki M.
(MRG-IESL/FORTH, Vassilika Vouton, PO Box 1385, Heraklion, Greece)
Zekentes K.
(MRG-IESL/FORTH, Vassilika Vouton, PO Box 1385, Heraklion, Greece)
Zekentes K.
(Universite Grenoble Alpes, IMEP-LAHC, 38000, Grenoble, France)

資料名:
Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)

巻: 214  号:ページ: ROMBUNNO.201600452  発行年: 2017年 
JST資料番号: D0774A  ISSN: 1862-6300  CODEN: PSSABA  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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