文献
J-GLOBAL ID:201702266409408190
整理番号:17A0381031
FinFET6T SRAM,8T SRAMとDICEメモリセルのSEU耐性【Powered by NICT】
SEU tolerance of FinFET 6T SRAM, 8T SRAM and DICE memory cells
著者 (2件):
Sajit Ahmed S.
(College of Engineering and Computer Science, California State University, Fullerton, 92834-6870, U.S.A.)
,
Turi Michael A.
(College of Engineering and Computer Science, California State University, Fullerton, 92834-6870, U.S.A.)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
CCWC
ページ:
1-5
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)