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文献
J-GLOBAL ID：201702266430884635
整理番号：17A1245372
非イノセント配位子を有する3D金属(Ni/Cu)錯体の電荷密度の研究【Powered by NICT】
Charge density studies of 3d metal (Ni/Cu) complexes with a non-innocent ligand
Chuang Yu-Chun
(Department of Chemistry, National Taiwan University, Taipei10617, Taiwan)
,
Chuang Yu-Chun
(Materials Science Group, National Synchrotron Radiation Research Center, Hsinchu30076, Taiwan)
,
Sheu Chou-Fu
(Department of Chemistry, National Taiwan University, Taipei10617, Taiwan)
,
Lee Gene-Hsiang
(Instrumentation Center, National Taiwan University, Taipei10617, Taiwan)
,
Chen Yu-Sheng
(ChemMatCARS Beamline, The University of Chicago, Advanced Photon Source, Argonne, Illinois60439, USA)
,
Wang Yu
(Department of Chemistry, National Taiwan University, Taipei10617, Taiwan)
資料名：
Acta Crystallographica. Section B. Structural Science, Crystal Engineering and Materials
(Acta Crystallographica. Section B. Structural Science, Crystal Engineering and Materials)
巻： 73 号： 4 ページ： 634-642 発行年： 2017年
JST資料番号： B0916A ISSN： 2052-5192 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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