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文献
J-GLOBAL ID：201702266478214902
整理番号：17A0362495
優れたESD能力をもつ200V高速回復エピタキシャルダイオード【Powered by NICT】
200V Fast Recovery Epitaxial Diode with superior ESD capability
Irace A.
(Dept. of Electrical Engineering and Information Technologies, University Federico II, Naples, Italy)
,
Maresca L.
(Dept. of Electrical Engineering and Information Technologies, University Federico II, Naples, Italy)
,
Mirone P.
(Dept. of Electrical Engineering and Information Technologies, University Federico II, Naples, Italy)
,
Riccio M.
(Dept. of Electrical Engineering and Information Technologies, University Federico II, Naples, Italy)
,
Breglio G.
(Dept. of Electrical Engineering and Information Technologies, University Federico II, Naples, Italy)
,
Bellemo L.
(Vishay Semiconductor Italiana, Borgaro, Torinese (TO), Italy)
,
Carta R.
(Vishay Semiconductor Italiana, Borgaro, Torinese (TO), Italy)
,
Naretto M.
(Vishay Semiconductor Italiana, Borgaro, Torinese (TO), Italy)
,
El Baradai N.
(Vishay Semiconductor Italiana, Borgaro, Torinese (TO), Italy)
,
Para I.
(Vishay Semiconductor Italiana, Borgaro, Torinese (TO), Italy)
,
Para I.
(DISAT Dept. of Applied Science and Technology, Politecnico di Torino, Italy)
,
Di Santo N.
(Vishay Semiconductor Italiana, Borgaro, Torinese (TO), Italy)
,
Di Santo N.
(DISAT Dept. of Applied Science and Technology, Politecnico di Torino, Italy)
資料名：
Microelectronics Reliability
(Microelectronics Reliability)
巻： 64 ページ： 440-446 発行年： 2016年
JST資料番号： C0530A ISSN： 0026-2714 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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