文献
J-GLOBAL ID:201702266479766127
整理番号:17A1259582
低漏れ電流のための専用シンクを用いたRF NMOSスイッチ【Powered by NICT】
RF NMOS switch with dedicated sinks for reduced leakage current
著者 (5件):
Al-Sa’di M.S.M.
(NXP Semiconductors Nijmegen, Gerstweg 2, 6534 AE, The Netherlands)
,
Donkers J.J.T.M.
(NXP Semiconductors Nijmegen, Gerstweg 2, 6534 AE, The Netherlands)
,
Magnee P.H.C.
(NXP Semiconductors Nijmegen, Gerstweg 2, 6534 AE, The Netherlands)
,
Brunets I.
(NXP Semiconductors Nijmegen, Gerstweg 2, 6534 AE, The Netherlands)
,
Slotboom J.W.
(NXP Semiconductors Nijmegen, Gerstweg 2, 6534 AE, The Netherlands)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
RFIC
ページ:
81-83
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)