文献
J-GLOBAL ID:201702266507212518
整理番号:17A1620656
p-n接合をもつ高電圧シリコン構造に基づく高電力ナノ秒およびピコ秒オプトエレクトロニックスイッチ II エネルギー効率
High-Power Nano- and Picosecond Optoelectronic Switches Based on High-Voltage Silicon Structures with p-n Junctions: II. Energy Efficiency
著者 (1件):
KYUREGYAN A. S.
(Federal State Unitary Enterprise “All-Russian Electrotechnical Inst. named after V.I. Lenin”, Moscow, RUS)
資料名:
Semiconductors
(Semiconductors)
巻:
51
号:
9
ページ:
1214-1217
発行年:
2017年09月
JST資料番号:
T0093A
ISSN:
1063-7826
CODEN:
SMICES
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)