文献
J-GLOBAL ID:201702266520428789
整理番号:17A1557664
分子ビームエピタクシーによる低密度InAs量子ドット分子の成長のための修正勾配法【Powered by NICT】
A modified gradient approach for the growth of low-density InAs quantum dot molecules by molecular beam epitaxy
著者 (2件):
Sharma Nandlal
(Department of Physics, University of Paderborn, Warburger Strasse 100, Germany)
,
Reuter Dirk
(Department of Physics, University of Paderborn, Warburger Strasse 100, Germany)
資料名:
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻:
477
ページ:
225-229
発行年:
2017年
JST資料番号:
B0942A
ISSN:
0022-0248
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)