文献
J-GLOBAL ID:201702266559589524
整理番号:17A0203808
Asヘテロ接合トンネル電界効果トランジスタ円筒サラウンディングゲートGaAs_xSb(1 x)/In_yGa(1 y)の特性【Powered by NICT】
Characteristics of cylindrical surrounding-gate GaAs_xSb_(1-x)/In_yGa_(1-y)As heterojunction tunneling field-effect transistors
著者 (5件):
Guan Yunhe
(Department of Microelectronics, Xi’an Jiaotong University)
,
Li Zunchao
(Department of Microelectronics, Xi’an Jiaotong University)
,
Luo Dongxu
(Department of Microelectronics, Xi’an Jiaotong University)
,
Meng Qingzhi
(Department of Microelectronics, Xi’an Jiaotong University)
,
Zhang Yefei
(Department of Microelectronics, Xi’an Jiaotong University)
資料名:
Chinese Physics B
(Chinese Physics B)
巻:
25
号:
10
ページ:
108502-1-108502-5
発行年:
2016年
JST資料番号:
W1539A
ISSN:
1674-1056
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
中国 (CHN)
言語:
英語 (EN)