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文献
J-GLOBAL ID：201702266637553539
整理番号：17A0274499
n型結晶Si上のHfO_2薄膜の表面不動態化特性【Powered by NICT】
Surface Passivation Properties of ${¥textrm{HfO}}_{2}$ Thin Film on n-Type Crystalline Si
Cheng Xuemei
(Department Materials Science and Engineering, Norwegian University of Science and Technology, Trondheim, Norway)
,
Repo Paivikki
(Department of Micro and Nanosciences, Aalto University, Espoo, Finland)
,
Halvard Haug
(Department for Solar Energy, Institute for Energy Technology, Kjeller, Norway)
,
Perros Alexander Pyymaki
(Nanovate Oy, Micronova, Espoo, Finland)
,
Marstein Erik Stensrud
(Department for Solar Energy, Institute for Energy Technology, Kjeller, Norway)
,
Di Sabatino Marisa
(Department Materials Science and Engineering, Norwegian University of Science and Technology, Trondheim, Norway)
,
Savin Hele
(Department of Micro and Nanosciences, Aalto University, Espoo, Finland)
資料名：
IEEE Journal of Photovoltaics
(IEEE Journal of Photovoltaics)
巻： 7 号： 2 ページ： 479-485 発行年： 2017年
JST資料番号： W2305A ISSN： 2156-3381 CODEN： IJPEG8 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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