文献
J-GLOBAL ID:201702266697390129
整理番号:17A0399706
分子ビームエピタクシーによるGaSb(001)上の懸濁Ga_2Se_3膜とエピタキシャルBi_2Se_3(221)【Powered by NICT】
Suspended Ga2Se3 film and epitaxial Bi2Se3(221) on GaSb(001) by molecular-beam epitaxy
著者 (4件):
Li Bin
(Department of Physics, The University of Hong Kong, Pokfulam Road, Hong Kong)
,
Xia Yipu
(Department of Physics, The University of Hong Kong, Pokfulam Road, Hong Kong)
,
Ho Wingkin
(Department of Physics, The University of Hong Kong, Pokfulam Road, Hong Kong)
,
Xie Maohai
(Department of Physics, The University of Hong Kong, Pokfulam Road, Hong Kong)
資料名:
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻:
459
ページ:
76-80
発行年:
2017年
JST資料番号:
B0942A
ISSN:
0022-0248
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)